Описание
Транзистор биполярный S8550
Транзистор биполярный S8550
Структура : PNP
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 25 В
Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 40 В
Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) :5 В
Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.50 А
Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 85 до 300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 150.0 МГц
Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.63 Вт
Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
Корпус : TO-92
